产品概述
ADP16F03
ADP16F03系列产品采用增强的哈佛架构DSP内核，主频高达150MHz，32KW Flash，4KW SARAM，544W DARAM，集成运算加速器、运放、比较器、12BitADC、温度传感器，PWM控制器及SCI、SPI通讯外设；支持4线制快速程序烧录；支持多种方波和弦波电机驱动方式；
数据手册 →工业 车规
产品特性
● 供电电压
– 3.3~5V（内核1.2V，模拟3V，由内部LDO产生）
● 高性能16位定点DSP内核
– 主频最高150MHz
– 哈佛(Harvard)总线结构
– 快速中断响应和处理
● 片内存储器资源
– 4K x 16位SARAM
– (256+256+32)x 16位DARAM
– 32K x 16位Flash
● 运算加速单元
– 除法、开方
– 反正切
– 帕克变换
– 32位乘加及移位
● 30个通用I/O引脚
● 事件管理器EM1
– 4个16位定时/计数器
– 8路PWM输出（PWM1~6构成3组互补，PWM7/8独立）
– 1组正交编码单元
– 3个捕获单元(CAP1/2/3)
– 可配置PWM周期内中断产生和ADC采样触发时刻
● ADC
– 12位，转换速率1MSPS
– 16通道，其中一路为温度传感器通道
– 通道排序器，可设置ADC采样通道序列
● 运算放大器
– 1个OP，可用于母线电流检测放大
– 3个PGA，可用于相电流检测放大
● 电压比较器
– 3个电压比较器，参考端共用，可用于BEMF比较检测
– 2个电压比较器，可组成上、下限值保护电路，限值可通过一对连接到比较器输入端的DAC配置
● 中断
– 2个外部中断，
– 29个由PIE设置的外设中断
● 数字延时滤波
● 时钟
– 10M片内振荡器
– PLL倍频系数1x~10x
● 支持WDT
● 支持4线制快速程序烧录
● 支持JTAG在线仿真
– 分析和断点功能
– 基于硬件的实时调试
● ESD等级(HBM)：2000V
● MSL湿敏等级：3
● 封装形式
– LQFP48封装
– QFN48封装
– LQFP32封装
– QFN32封装
– 3.3~5V（内核1.2V，模拟3V，由内部LDO产生）
● 高性能16位定点DSP内核
– 主频最高150MHz
– 哈佛(Harvard)总线结构
– 快速中断响应和处理
● 片内存储器资源
– 4K x 16位SARAM
– (256+256+32)x 16位DARAM
– 32K x 16位Flash
● 运算加速单元
– 除法、开方
– 反正切
– 帕克变换
– 32位乘加及移位
● 30个通用I/O引脚
● 事件管理器EM1
– 4个16位定时/计数器
– 8路PWM输出（PWM1~6构成3组互补，PWM7/8独立）
– 1组正交编码单元
– 3个捕获单元(CAP1/2/3)
– 可配置PWM周期内中断产生和ADC采样触发时刻
● ADC
– 12位，转换速率1MSPS
– 16通道，其中一路为温度传感器通道
– 通道排序器，可设置ADC采样通道序列
● 运算放大器
– 1个OP，可用于母线电流检测放大
– 3个PGA，可用于相电流检测放大
● 电压比较器
– 3个电压比较器，参考端共用，可用于BEMF比较检测
– 2个电压比较器，可组成上、下限值保护电路，限值可通过一对连接到比较器输入端的DAC配置
● 中断
– 2个外部中断，
– 29个由PIE设置的外设中断
● 数字延时滤波
– 3组可独立配置延时滤波单元，分别对应外部中断、功率保护和CAP1/2/3
● 串行通讯外设
– SPI、SCI● 时钟
– 10M片内振荡器
– PLL倍频系数1x~10x
● 支持WDT
● 支持4线制快速程序烧录
● 支持JTAG在线仿真
– 分析和断点功能
– 基于硬件的实时调试
● ESD等级(HBM)：2000V
● MSL湿敏等级：3
● 封装形式
– LQFP48封装
– QFN48封装
– LQFP32封装
– QFN32封装
