● 单源供电
    - 4.5~40V
    - 集成LDO
    - 集成POR、BOR电路（预驱12V，内核1.2V，IO 5V，模拟3.0V）
● 高性能32位定点DSP内核
    - 主频最高100MHz
    - 16×16、32×32 MAC操作
    - 16×16双MAC操作
    - 哈佛(Harvard)总线结构
    - 快速中断响应和处理
● 可编程控制律加速单元(CLA)
    - 32位浮点加速运算器
    - 加速代码与CPU代码并行执行
● 片内存储器资源
    - 18K x 16位SARAM
    - 64K x 16位Flash
    - 8K x 16位BootROM

● 128位安全密钥

●  ADC

    - 12位SAR，转换速率4MSPS
    - 13通道，带温度传感器通道
    - 输入范围0~3V，内部基准
● 运算放大器
    - 1个OP，可用于母线电流检测放大
    - 3个PGA，可用于相电流检测放大
● 集成三相高、低侧半桥驱动电路
    - 六路NMOSPre-Driver
    - 栅极驱动电路高侧最高浮动绝对电压达到45V
    - 驱动能力IO+/IO-:+1.8A/-1.5A
● 电压比较器
    - 3个电压比较器 外部或内置8bitDAC电压参考，输出关联TZ，支持逐周期封波保护
● 增强型控制外设
    - 3个32位定时/计数器
    - 5个16位定时/计数器
    - 2路PWM输出
    - 1个捕获单元(HRCAP1)

● 中断
    - 最多53个由PIE设置的中断
● 串行通讯外设
    - CAN、SPI
    - 1通道CANFD
    - 1个LIN控制+收发器
● IO
    - 13个通用IO
● 时钟
    - 10M片内振荡器
    - 石英晶体振荡器/外部输入模式
    - PLL倍频系数1x~12x
● 支持WDT
● 支持JTAG在线仿真
    - 分析和断点功能
    - 基于硬件的实时调试
● QFN56封装
● 温度范围-40℃~+125℃
● AEC-Q100认证